Déscriptif:
- Catégorie du produit: MOSFET
- Package/Boîte: TO-220-3
- Nombre de canaux: 1 Channel
- Polarité du transistor: P-Channel
- Vds – Tension de rupture drain-source: – 100 V
- Id – Courant continu de fuite: 7.7 A
- Rds On – Résistance drain-source: 300 mOhms
- Vgs – Tension grille-source: 20 V
- Température de fonctionnement max.: + 175 C
- Configuration: Single
- Temps de descente: 39 ns
- Température de fonctionnement min.: – 55 C
- Pd – Dissipation d’énergie : 42 W
- Temps de montée: 52 ns
- Nombre de pièces de l’usine: 1000
- Type de transistor: 1 P-Channel







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